，對(duì)溫度的變化較其它類傳感器異常敏感。經(jīng)過(guò)試驗(yàn)得出單晶硅的導(dǎo)電能力隨溫度的增加按指數(shù)規(guī)律增長(zhǎng)，因此由單晶硅制作的壓力變送器受溫度影響后，傳感器的輸出信號(hào)將產(chǎn)生零點(diǎn)溫度漂移。

 

       零點(diǎn)溫度漂移：理想情況下單晶硅上的組成惠斯頓電橋的4個(gè)擴(kuò)散電阻阻值是嚴(yán)格相等的

，因而在電橋處于平衡狀態(tài)時(shí)，電橋的輸出電壓為零。但在傳感器加工過(guò)程中，由于被連接成惠斯頓電橋的四個(gè)擴(kuò)散電阻阻值不可能控制到完全相等，所以當(dāng)壓力為零時(shí)，惠斯頓電橋的輸出不為零，這種零點(diǎn)輸出將隨溫度的變化而產(chǎn)生漂移，即產(chǎn)生零點(diǎn)溫度漂移。

 

       針對(duì)零點(diǎn)溫度漂移

，壓力變送器在設(shè)計(jì)時(shí)采用溫度補(bǔ)償設(shè)計(jì)，減少溫度對(duì)傳感器的精度影響，在生產(chǎn)時(shí)采用多點(diǎn)溫度和多點(diǎn)壓力組合標(biāo)定的形式得出溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)矩陣